設備配置 2C2D、4C、4D
襯底材質(zhì) Si、Sapphire、GaAs、InP、GaN、SiC、LT、LN等
適用工藝 G-line、i-line、PI
應用領(lǐng)域 MEMS、功率器件、射頻集成、光通訊、LED、科研等
設備尺寸 1500*1450*2200mm(W*D*H)
技術(shù)特征:
· 設備故障、生產(chǎn)工藝參數等記錄等可長(cháng)期保存備查;
· 光刻膠采用精密計量泵供應,精度高,供液穩定,出膠量設定方便;
· 可做兩種尺寸完全兼容,不需要更換零件;
· 可選配光刻膠顯影液溫控,HMDS等單元部件;