設備配置 1-2 Soak、1-2 Stripper、1-2 Clean
襯底材質(zhì) Si、Glass、Sapphire、GaAS、InP、GaN、SiC、LT、LN
適用工藝 金屬剝離、光刻膠去除
工藝指標 顆??刂?/font>≤20ea@0.2µm、金屬去除率>99%、光刻膠去除率>99%
應用領(lǐng)域 先進(jìn)封裝、MEMS、功率器件、射頻集成電路、半導體光學(xué)、光通訊、科研等
設備尺寸 3腔2230*1980*2450(W*D*H)、6腔3040*1980*2760(W*D*H)
技術(shù)特征:
· 設備為全自動(dòng)機臺,可自動(dòng)完成去膠、金屬剝離工藝;
· 設備配置浸泡、去膠、清洗三種工藝腔體;
· 浸泡單元使用藥液浸泡使晶圓表面的光刻膠溶解;
· 去膠單元對晶圓表面的金屬和光刻膠進(jìn)行去除;
· 清洗單元進(jìn)行清洗干燥,實(shí)現晶圓干進(jìn)干出;
· 去膠液可過(guò)濾回收使用;